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NDDP010N25AZT4H

N-Channel Power MOSFET

文件:386.52 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N40

功率 MOSFET,400V,1.7A, 5.5Ω,单 N 沟道,DPAK

功率 MOSFET,400V,5.5Ω,单 N 沟道 • 100% Avalanche Tested\n• This Device is PbFree, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60Z

功率 MOSFET,600V,2.2A,4.8Ω,单 N 沟道,DPAK

功率 MOSFET,600V,4.8Ω,单 N 沟道 • Low ON Resistance\n• 100% Avalanche Tested\n• ESD diode-protected gate;

ONSEMI

安森美半导体

NDD03N40Z

Power MOSFET 400V 2.1A 3.4 OHM Single N-Channel DPAK

Power MOSFET 400V 2.1A 3.4 OHM Single N-Channel DPAK 100% Avalanche Tested\nExtremely High dv/dt Capability\nGate Charge Minimized\nVery Low Intrinsic Capacitance\nImproved Diode Reverse Recovery Characteristics\nZener−protected\nThese Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant;

ONSEMI

安森美半导体

NDD-15P0PY18S

包装:袋 类别:电缆组件 D-Sub 电缆 描述:NANO MALE 15POS 18\

ITT Cannon, LLC

ITT Cannon, LLC

NDD-15PBRTT

包装:散装 类别:连接器,互连器件 D-Sub 连接器组件 描述:CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR

ITT Cannon, LLC

ITT Cannon, LLC

NDD-15PBRTT

包装:散装 类别:连接器,互连器件 D-Sub 连接器组件 描述:CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR

ITT Cannon, LLC

ITT Cannon, LLC

详细参数

  • 型号:

    NDD

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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ON/安森美
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