NDD02N60Z数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDD02N60Z规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET，600V，4.8Ω，单 N 沟道
特性 Features
• Low ON Resistance
• Low Gate Charge
• 100% Avalanche Tested
• This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
• ESD diode-protected gate
应用 Application
Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts
技术参数
- 型号：
NDD02N60Z
- 功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA |
51273 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
22500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
60 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-251 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-251 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO251 |
25600 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
TO-251 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
