NDD02N60Z中文资料功率 MOSFET，600V，2.2A，4.8Ω，单 N 沟道，DPAK数据手册ONSEMI规格书
NDD02N60Z规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET，600V，4.8Ω，单 N 沟道
特性 Features
• Low ON Resistance
• 100% Avalanche Tested
• ESD diode-protected gate
应用 Application
Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts
技术参数
- 型号：
NDD02N60Z
- 功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
22500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
60 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
N/A |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON |
2025+ |
TO-252-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
12+ |
TO-252 |
40 |
询价 | |||
ON |
24+ |
DPAK |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
