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NDB710A中文资料N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NDB710A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-10-1 9:16:00

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技术参数

  • 型号:

    NDB710A

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NSC
05+
原厂原装
1651
只做全新原装真实现货供应
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FSC
26+
TO-263
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芯为深仓现货
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26+
9600
进口原装现货
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VBSEMI/微碧半导体
25+
TO263
90000
全新原装现货
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FSC
23+
TO-263
200
全新原装正品现货,支持订货
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FAIRCHILD/仙童
25+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
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