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NDD05N50ZT4G

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ?

文件:166.6 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD05N50ZT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:149.15 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD05N50ZT4G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.32897 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

NDD100

Diode-Diode Module, 100 Amps

文件:215.58 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

NDD100B

Diode-Diode Module, 100 Amps

文件:173.71 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

NDD132

Diode-Diode Module, 130 Amps

文件:213.99 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

NDD132C

Diode-Diode Module, 130 Amps

文件:211.39 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

NDD160C

Diode/Diode Module, 160A

文件:227.78 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

NDD162

Diode-Diode Module, 195 Amps

文件:205.76 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

NDD162C

Diode-Diode Module, 195 Amps

文件:203.13 Kbytes 页数:3 Pages

NAINA

详细参数

  • 型号:

    NDD

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NDD供应商 更新时间2025-12-18 14:02:00