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NDD60N550U1T4G

N-Channel Power MOSFET

文件:109.49 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N550U1T4G

N-Channel Power MOSFET

文件:139.22 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N745U1

N-Channel Power MOSFET

文件:139.82 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N745U1-1G

N-Channel Power MOSFET

文件:139.82 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N745U1-35G

N-Channel Power MOSFET

文件:139.82 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N745U1T4G

N-Channel Power MOSFET

文件:139.82 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N900U1

N-Channel Power MOSFET

文件:138.41 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD60N900U1-1G

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NDD60N900U1-35G

N-Channel Power MOSFET

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安森美半导体

NDD60N900U1T4G

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NDD

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NDD供应商 更新时间2025-12-22 14:02:00