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NDD04N60ZT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:144.32 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD04N60ZT4G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm

文件:140.17 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD04N60ZT4G

Power MOSFET

文件:1.07622 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDD04N60ZT4G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.43514 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

NDD04N62Z

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

文件:159.89 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD04N62Z-1G

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

文件:159.89 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD04N62ZT4G

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

文件:159.89 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD05N50Z

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ?

文件:166.6 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD05N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ?

文件:166.6 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD05N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET

文件:149.15 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NDD

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NDD供应商 更新时间2025-12-23 14:02:00