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NCE3404X	文件：816.97 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3404X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 5.8A RDS(ON 文件：816.97 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3404Y	文件：483.3 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：483.3 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3406AN	文件：276.64 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3406AN；Package：SOT23-6L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3406AN uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 6A RDS(ON) 文件：276.64 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3406N	文件：288.08 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3406N；Package：SOT23-6L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3406N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 6A RDS(ON) 文件：288.08 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3407	文件：495.19 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.19 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3407A	文件：495.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.25 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3407AL	文件：495.31 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.31 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3407AY	文件：495.09 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.09 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3407E	文件：734.23 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3407E；Package：SOT-23；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3407E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.It is ESD protected. General Features ● VDS = -30V,ID = -4.3A RDS(ON) = 28mΩ @ VGS=-10V (typ) RDS(ON) = 38mΩ @ VGS=-4.5V (typ) E 文件：734.23 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3413	文件：494.91 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：494.91 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

Technology：
Trench
Product status：
New
Package：
SOP-8
Polarity：
P
BVDSS_(V)：
-30
ID_(A)：
-7
VTH_(V)：
-1.6
RDS(ON)_@10VTyp_(mΩ)：
27
RDS(ON)_@10VMax_(mΩ)：
31
VGS(th)_(V)：
±20
CISS_(pF)：
625
QG_(nC)：
13.9
PD_(W)：
2.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
京海半导体(深圳)有限公司	NCE3416	NCE	25+	SOT-23	10000	原装现货假一罚十	询价
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