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NCE2025I	文件：380.62 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE2025I；Package：TO-251；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：380.62 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2030K	文件：443.17 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE2030K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：443.17 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE20H11K	文件：476.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE20H11K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：476.86 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2003	文件：596.75 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：596.75 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2004NE	文件：513.47 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：513.47 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2004Y	文件：283.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2004Y；Package：SOT23-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2004Y uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =20V,ID =4A RDS(ON) 文件：283.14 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2006NE	文件：513.47 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：513.47 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2006Y	文件：318.65 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2006Y；Package：SOT23-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2006Y uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =20V,ID =6A RDS(ON) 文件：318.65 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2007N	文件：513.45 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：513.45 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE20NP1006S	文件：417.93 Kbytes Page：10 Pages	丝印：20NP1006S；Package：SOP-8；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20NP1006S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 20V,ID =10A RDS(ON) 文件：417.93 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

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产品属性

产品编号：
NCE2
制造商：
CIT Relay and Switch
类别：
开关 > 按钮开关
系列：
NC
包装：
散装
安装类型：
通孔
类型：
标准
电路：
SPST-NO
开关功能：
关-瞬时
额定电流（安培）：
25mA（DC）
致动器类型：
帽盖
致动器标志：
无标志
颜色 - 致动器/盖帽：
黑色
端接样式：
PC 引脚
工作温度：
-40°C ~ 85°C
描述：
KEY STYLE PB, SPST, MOM, BLACK E

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