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NCE2025I	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE2025I uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE2025I	文件：380.62 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE2025I；Package：TO-251；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：380.62 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2025S	文件：414.6 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：414.6 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NTE2025	文件：76.53 Kbytes Page：2 Pages	Integrated Circuit Quad HV Driver for Gas−Discharge Display Description: Designed for interfacing between MOS, or other low−voltage circuitry, and the anode of gas discharge display panels, these monolithic high−voltage bipolar integrated circuits dramatically reduce the number of discrete components required. The NTE2025 is used with multiplexed gas di 文件：76.53 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
OKY2025	文件：259.41 Kbytes Page：1 Pages	TARJETA DE DESARROLLO LEONARDO BEETLE Descripción Micro SS es una placa de microcontrolador basada en ATmeag32U4. tiene 14 pines de entrada / salidas digitales de propósito general (de los cuales 5 pueden usarse como salidas PWM, 6 pueden usarse como entradas analógicas). a bordo para oscilador de 16 MHz y un conector basado en PCB t 文件：259.41 Kbytes 页数：1 Pages	AGELECTRONICA	AGELECTRONICA

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-251
Polarity：
P
BVDSS(V)：
20
ID(A)：
25
VTH(V)：
0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
9
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
12
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
11
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
18
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
900
QG(nC)：
15
PD(W)：
40

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