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NCE2003	文件：596.75 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：596.75 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2003	文件：379.85 Kbytes Page：11 Pages	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：379.85 Kbytes 页数：11 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2003	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary MOSFET The NCE2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower
LCE2003	文件：1.35398 Mbytes Page：10 Pages	丝印：NCE2003；Package：SOT-23-6L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.35398 Mbytes 页数：10 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LM2003	文件：1.35575 Mbytes Page：10 Pages	丝印：NCE2003；Package：SOT-23-6L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.35575 Mbytes 页数：10 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

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更多NCE2003供应商更新时间2022-4-26 15:12:00