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NCE2003数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE2003

功能描述

Complementary MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NCE2003规格书详情

描述 Description

The NCE2003 uses advanced  trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge  . The complementary  MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host  of other applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE2003

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :SOT-23-6L

  • Polarity

    :N+P

  • BVDSS(V)

    :-20/20

  • ID(A)

    :-3/3

  • VTH(V)

    :-0.7/0.7

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :78/29

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :110/45

  • RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)

    :102/35

  • RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)

    :140/60

  • VGS(th)(V)

    :±12

  • CISS(pF)

    :325/260

  • QG(nC)

    :3.2/2.9

  • PD(W)

    :0.8

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