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MRF9060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicat

文件:507.45 Kbytes 页数:16 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF9080LR5

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF9080R3

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRFE6S9060NR1

TO270-2

FREESCAL

MRFE6S9125NBR1

TO-252

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市赛尔通科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF9060NBR1

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-270-2
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长期供应原装现货实单可谈
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多MRF9060NBR1供应商 更新时间2026-1-30 13:30:00