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MRF9060NR1	文件：507.45 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicat 文件：507.45 Kbytes 页数：16 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF9060NR1	文件：455.06 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：455.06 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF9060NR1_09	文件：455.06 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：455.06 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF9080LR5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	FREESCALE
MRF9080R3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	FREESCALE

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