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MRF9060NBR1中文资料飞思卡尔数据手册PDF规格书

MRF9060NBR1
厂商型号

MRF9060NBR1

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

507.45 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Freescale Semiconductor, Inc
企业简称

FREESCALE飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔半导体官网

原厂标识
FREESCALE
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:37:00

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MRF9060NBR1规格书详情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral

MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

• Typical Performance at 945 MHz, 26 Volts

Output Power — 60 Watts PEP

Power Gain — 18.0 dB

Efficiency — 40 (Two Tones)

IMD — -31.5 dBc

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 60 Watts CW Output Power

特性 Features

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Integrated ESD Protection

• 200°C Capable Plastic Package

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

• TO-270-2 Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

• TO-272-2 Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

产品属性

  • 型号:

    MRF9060NBR1

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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