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MRF6P18190HR6	文件：461.44 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 1805-1880MHz,44WAVG.,28V2xW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6P18190HR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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MRF6P18190HR6

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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1805-1880MHz,44WAVG.,28V2xW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications

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包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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产品属性

产品编号：
MRF6P18190HR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.88GHz
增益：
15.9dB
功率 - 输出：
44W
封装/外壳：
NI-1230
供应商器件封装：
NI-1230
描述：
FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRF6P18190H供应商更新时间2024-4-28 17:11:00

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