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MRF5S21150HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA,

文件:386.37 Kbytes 页数:12 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9101NR1

TO-270

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF6S24140HR3

高频管

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MRF6S9125N

SMD

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市向鸿伟业电子有限公司

MRF6V12250H

高频

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市华来深电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF5S21150HR3

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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更多MRF5S21150HR3供应商 更新时间2026-2-4 10:30:00