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MRF1803BSR3

THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect TransistorsThe RF MOSFET Line N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930

文件:275.29 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18085ALSR3

NI-780S

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF185

高频管

MOTOROLA

摩托罗拉

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

MRF19030LSR3

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF21045LSR3

TO-272

FREESCALE/飞思卡尔

上传:深圳庞田科技有限公司

FREESCALE/飞思卡尔

详细参数

  • 型号:

    MRF1803BSR3

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

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