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MRF18085ALSR3	文件：379.56 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF18085ALSR3	文件：409.77 Kbytes Page：8 Pages	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF18085ALSR3	文件：394.89 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications.SpecifiedforGSM-GSMEDGE1805-1880MHz. •GSMandGSMEDGEP	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF18085ALSR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：NI-780S；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 1.88GHZ NI-780S	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.

产品属性

产品编号：
MRF18085ALSR3
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.81GHz ~ 1.88GHz
增益：
15dB
功率 - 输出：
85W
封装/外壳：
NI-780S
供应商器件封装：
NI-780S
描述：
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780S

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