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MRF19030LR3

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •CDMAPerformance@1990MHz,26Volts IS-97CDMAPilot,Sync,Paging,TrafficCodes8Thru13 885kHz—-47dBc@30k

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MRF19030LR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •CDMAPerformance@1990MHz,26Volts IS-95

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19030LSR3

FREESCALE
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详细参数

  • 型号:

    MRF19030LR3

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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更多MRF19030LR3供应商 更新时间2025-7-31 10:50:00