RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and multicarrier amplifier applications. • Typical CDMA Performance: 1990 MHz, 26 Volts

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

TO-272

FREESCALE/飞思卡尔

上传：深圳庞田科技有限公司

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传：深圳庞田科技有限公司

Module-12

MICROCHIP/微芯

上传：深圳市明嘉莱科技有限公司

Module-12

MICROCHIP/微芯

上传：深圳市明嘉莱科技有限公司