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MRF19030LR3中文资料飞思卡尔数据手册PDF规格书

MRF19030LR3
厂商型号

MRF19030LR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

425.44 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Freescale Semiconductor, Inc
企业简称

FREESCALE飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 11:10:00

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MRF19030LR3规格书详情

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — -47 dBc in 30 kHz BW

1.25 MHz — -55 dBc in 12.5 kHz BW

2.25 MHz — -55 dBc in 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 30 Watts CW Output Power

Features

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

产品属性

  • 型号:

    MRF19030LR3

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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