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MRF21030LSR3

文件：579.05 Kbytes

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RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2.0to2.2GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellul

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

MRF21030LSR3

文件：412.45 Kbytes

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2000to2200MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN--PCS/cellularradioandWL

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飞思卡尔

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详细参数

型号：
MRF21030LSR3
制造商：
FREESCALE
制造商全称：
Freescale Semiconductor, Inc
功能描述：
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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