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MRF19085LSR3	文件：421.6 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts, 文件：421.6 Kbytes 页数：12 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF19085LSR3	文件：584.79 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V 文件：584.79 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF21045LSR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	FREESCALE/飞思卡尔上传：深圳庞田科技有限公司	FREESCALE/飞思卡尔
MRF21060SR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF24J40MA-I/RM	文件：0 bytes Page：0 Pages	Module-12	MICROCHIP/微芯上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	MICROCHIP/微芯

详细参数

型号：
MRF19085LSR3
功能描述：
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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