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MRF19085LSR3	文件：584.79 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MRF19085LSR3

文件：584.79 Kbytes

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RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

MRF19085LSR3

文件：421.6 Kbytes

Page：12 Pages

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=26Volts,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

freescale

详细参数

型号：
MRF19085LSR3
功能描述：
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRF19085LSR3供应商更新时间2025-7-28 13:31:00

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