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MRF18085BLR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. • GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (193

文件:445.63 Kbytes 页数:12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF185

MOTOROLA
高频管

Motorola

摩托罗拉

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

MRF19030LSR3

FREESCALE
TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF21045LSR3

FREESCALE/飞思卡尔
TO-272

FREESCALE/飞思卡尔

上传:深圳庞田科技有限公司

FREESCALE/飞思卡尔

MRF21060SR3

FREESCALE
TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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详细参数

  • 型号:

    MRF18085BLR3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN 85W 26V NI-78O

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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NI-780
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NI780
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TO-59
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全新原装正品现货,支持订货
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更多MRF18085BLR3供应商 更新时间2025-10-7 13:30:00