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MRF18085BLR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. •GSMandGSMEDGEPerformance,FullFrequencyBand(193

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18085BLR3

Package:NI-780;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-78O

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    MRF18085BLR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 输出:

    90W

  • 封装/外壳:

    NI-780

  • 供应商器件封装:

    NI-780

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-78O

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Freescale
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NI-780
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更多MRF18085BLR3供应商 更新时间2025-5-21 8:01:00