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MRF1803BSR3
厂商型号

MRF1803BSR3

功能描述

THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

文件大小

275.29 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
MOTOROLA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 16:59:00

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MRF1803BSR3规格书详情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect TransistorsThe RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930 – 1990 MHz.

• Typical GSM Performance:

Power Gain – 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency – 50 (Typ) @ 30 Watts

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 W CW Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

产品属性

  • 型号:

    MRF1803BSR3

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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