首页>MRF18030ALSR3>规格书详情
MRF18030ALSR3中文资料飞思卡尔数据手册PDF规格书
MRF18030ALSR3规格书详情
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz.
• Typical GSM Performance:
Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts
Efficiency - 50 (Typ) @ 30 Watts
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power
特性 Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
• RoHS Compliant
• in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
产品属性
- 型号：
MRF18030ALSR3
- 功能描述：
IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
190 |
现货供应 |
询价 | |||
FREESCALE |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
MOT |
22+ |
高频管 |
350 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
FREESCALE |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
MOTOROLA |
23+ |
高频管 |
1200 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
NEW |
NI-400S |
9526 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
465F-03 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |
