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PR6003	文件：62.6 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto300APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
PR6003	文件：679.1 Kbytes Page：1 Pages	6AMPFASTRECOVERYRECTIFIER FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Easilycleanedwithfreon,alcohol,chlorotheneandsimilarsolvents ●ULrecognition94V-0plasticmaterial	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
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PR6003	文件：132.7 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR6003	文件：95.32 Kbytes Page：3 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
PR6003G	文件：133.32 Kbytes Page：2 Pages	6.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR6003-T	文件：97.78 Kbytes Page：3 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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PSM-6003	文件：159.04 Kbytes Page：1 Pages	PROGRAMMABLEDUAL-RANGED.C.POWERSUPPLY	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
PT6003	文件：517.258 Kbytes Page：10 Pages	3串锂离子/锂聚合物电池保护芯片	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市鑫顺祥科技有限公司	ETC
PTC6003	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
QM6003	文件：326.26 Kbytes Page：5 Pages	Fits7/8(22mm)diameterholes	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
QM6003F	文件：910.66 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QRL6003PT	文件：80.24 Kbytes Page：4 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
RJP6003DPM	文件：110 Kbytes Page：9 Pages	600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJQ6003DPM	文件：110 Kbytes Page：9 Pages	600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RM6003	文件：202.68 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
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更多MP6003DN-LF-P供应商更新时间2024-6-8 16:16:00

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