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深圳市欧立现代科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市龙瀚电子有限公司

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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

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onsemiTO-92(TO-226)

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-92-3

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深圳市威雅利发展有限公司

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深圳雄芯伟创科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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深圳市能创芯电子科技有限公司

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深圳市芯皇电子有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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深圳市凯睿晟科技有限公司

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深圳市振宏微科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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MPSA56,116功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA56\E6功能描述:两极晶体管 - BJT REORD 512-MPSA56 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA56_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier

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MPSA56_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA56_D26Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA56_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2