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RJQ6003DPM规格书详情
Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
BOURNS |
23+ |
NA |
116 |
专做原装正品,假一罚百! |
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Veritron |
8 |
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BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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BOURNS/伯恩斯 |
2223+ |
SMD |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-89 |
6215 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
BOURNS |
20+ |
电位计 |
667 |
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询价 | ||
Bourns |
22+ |
NA |
5889 |
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BOURNS |
2023+ |
SMD |
16958 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
2000 |
138 |
询价 |
