| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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PR6003-T | 6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER Features Diffused Junction Fast Switching for High Efficiency High Current Capability and Low Forward Voltage Drop Surge Overload Rating to 300A Peak Low Reverse Leakage Current Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4) Mechanical Data Case: R-6 Case Material: Molded Plastic. UL 文件：95.32 Kbytes 页数：3 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES | |
PR6003-T | 6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER 文件：97.78 Kbytes 页数：3 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES | |
PR6003-T | Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 200V 6A R6 | DIODES 美台半导体 | DIODES | |
PROGRAMMABLE DUAL-RANGE D.C. POWER SUPPLY 文件：159.04 Kbytes 页数：1 Pages | GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固纬电子固纬电子实业股份有限公司 | GWINSTEK | ||
3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 文件：517.258 Kbytes 页数：10 Pages | ETC | |||
NPN Darlington Transistors NPN Darlington Transistors TO-204MA (TO-3) 文件：344.75 Kbytes 页数：3 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI |
产品属性
- 产品编号：
PR6003-T
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
6A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
140pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
R-6，轴向
- 供应商器件封装：
R-6
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 200V 6A R6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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DIODES/美台 |
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Diodes |
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Diodes Incorporated |
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Diodes Incorporated |
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