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MPS2907A	文件：36.7 Kbytes Page：1 Pages	PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EitterVoltage:VCEO=60V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS2907A	文件：39.68 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewiththetypedesignationMMBT2907A.	GE GE Industrial Company	GE
MPS2907A	文件：1.035089 Mbytes Page：2 Pages	TO-92 PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MPS2907A	文件：229.01 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Transistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MPS2907A	文件：228.34 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ComplementaryNPNTypeavailable(MPS2222A)	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
MPS2907A	文件：51.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMPS2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeed,medium-powerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationvoltage. •HighSpeedSwitching. •ForComplementaryUsewithNPNTypeMPS2222A.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MPS2907A	文件：244.64 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current-0.6A •Collector-baseVoltage-60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:MPS2907/MPS2907A •LeadFr	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPS2907A	文件：191.63 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor FEATURES .EpitaxialPlanarDieConstruction .ComplementaryNPNTypeAvailable(MPS2222A) .IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MPS2907A	文件：245.05 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS2907A	文件：198.47 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS GeneralPurposeTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
300
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.67
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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