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MPQ2222	文件：137.96 Kbytes Page：1 Pages	QUAD TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPQ2222andMPQ2222AtypesarecomprisedoffourindependentNPNsilicontransistorsmountedina14-pinDIP,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Quad NPN General Purpose Amplifier/Switch;	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222_12	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222_15	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222A	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222A	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Quad NPN General Purpose Amplifier/Switch;	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 14-Pin CDIP;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS

技术参数

Case：
TO-116
Configuration/ Description：
NPN General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
4XNPN
IC MAX：
500mA
PD MAX：
650mW
VCEO MAX：
40V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
400mV
@IC：
150mA
@IB：
15mA
Cob MAX：
8pF
fT MIN：
200MHz

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更多MPQ2222供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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