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IPD70R600CE	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •Veryhighcommutationruggedness •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPS70R600CE	文件：1.21722 Mbytes Page：14 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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MMF70R600PTH	文件：323.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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