N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.6Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

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ISC

无锡固电

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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Infineon

英飞凌

高性价比的超结 MOSFET，适用于电子消费产品和照明应用

CoolMOS™ CE 是英飞凌市场领先的高电压功率 MOSFET 的技术平台，根据超结原理 (SJ) 设计，旨在满足消费者的需求。通过其扩展产品系列，英飞凌提供 600V、650V 和 700V 器件，旨在满足移动设备和电动工具、LCD、LED TV 和 LED 照明 应用对低功耗充电器的需求。 • 热性能\n• 器件上 ≤ 90°C，开放型外壳\n• ≤ 50°C/70°C 封闭外壳温度\n• EMI 符合 EN55022B 标准\n• 易用性和快速设计\n\n优势:\n• 从典型的 R Ds（开启）到标称之间较大裕度的低传导损耗\n• 优化输出电容带来的低开关损耗 (E oss)\n• 优化电磁干扰，以平衡开关速度和电磁干扰行为\n• 集成 Rg 的良好控制性;

Infineon

英飞凌

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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Infineon

英飞凌

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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Infineon

英飞凌

700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP