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MMF70R600PTH	文件：323.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：323.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF70R600PTH	文件：1.2304 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.2304 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF70R600PTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	700V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
70R600P	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.1747 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
HCD70R600S	文件：265.62 Kbytes Page：8 Pages	700V N-Channel Super Junction MOSFET 文件：265.62 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HCD70R600S	文件：265.62 Kbytes Page：8 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology 文件：265.62 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW

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