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MMF80R900P	文件：295.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF80R900P	文件：1.19207 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.19207 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PCTH	文件：323.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：323.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF80R900PTH	文件：323.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：323.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF80R900PB	文件：1.53439 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9ohm N-channel MOSFET 文件：1.53439 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PBTH	文件：1.53439 Mbytes Page：10 Pages	丝印：80R900PB；Package：TO-220F；800V 0.9ohm N-channel MOSFET 文件：1.53439 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PC	文件：1.30526 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.30526 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PCTH	文件：1.30526 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.30526 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PTH	文件：1.19207 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.19207 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PBTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Ids [A] 25°C：
6.0
Vgs(th) [Max V]：
4.0
Rds(on) [Ohm Max] at Vgs=10V：
0.900
Qg[nC]：
0.780
Option：
17.6
Datasheet：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	MMF80R900P	MAGNACHIP/美格纳	24+	TO-220	40	大批量供应优势库存热卖	询价
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更多MMF80R900P供应商更新时间2025-12-7 8:31:00

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