MMF80R900PTH说明书PDF资料原装现货ISC-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
MMF80R900PTH	文件：323.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：323.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF80R900PTH	文件：1.19207 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.19207 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF80R900PTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMP80R900PC	文件：1.38183 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.38183 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMP80R900PCTH	文件：333.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：333.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMP80R900PCTH	文件：1.38183 Mbytes Page：10 Pages	800V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.38183 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP

更多MMF80R900PTH供应商更新时间2026-1-31 14:02:00