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MMBT5551Q-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
MMBT5551T	文件：938.61 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5551-TP	文件：68.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V •OperatingAndStorageTemperatures–55OCto150OC •Capableof0.3WattsofPowerDissipation •Marking:G1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(P	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT5551W	文件：177 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistor FEATURE •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •AlsoAvailableinLeadFreeVersion •ComplementarytoMMBT5401W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT5551W	文件：993.89 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highvoltage,complementarypairwithMMBT5401W. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5551W	文件：411.66 Kbytes Page：2 Pages	MMBT5551WTRANSISTOR(NPN)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5551W	文件：321.53 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching AlsoAvailableinLeadFreeVersion ComplementarytoMMBT5401W	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
MMDT5551	文件：1.56192 Mbytes Page：4 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(TPMMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT5551	文件：41.27 Kbytes Page：2 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：78.33 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：180.81 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：215.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：114.43 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof200mWattsofPowerDissipation •Idealf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT5551	文件：235.44 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT5551	文件：110.51 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT5551isahighvoltagefast-switchingdualNPNtransistor.Itischaracterizedwithhighbreakdownvoltage,highcurrentgainandhighswitchingspeed. FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V Highcurrentgain	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT5551	文件：309.33 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：283.06 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMDT5551	文件：171.27 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT5551	文件：1.44705 Mbytes Page：5 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating •ComplementarytoMMDT5401 •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG

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产品属性

产品编号：
MMBT5551Q-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT5551Q-7	DIODES(美台)	23+	SOT-23	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MMBT5551Q-7	DIODES INC.	23+	原厂原封	3000	订货1周原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MMBT5551Q-7	Diodes Incorporated	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	MMBT5551Q-7	DIODES(美台)	23+	SOT23	6000	诚信服务，绝对原装原盘	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	MMBT5551Q-7		24+	N/A	47000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市华博特电子有限公司	MMBT5551Q-7	DIODES	2023	NA	2580	原厂代理渠道,正品保障	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MMBT5551Q-7-F	DIODES/美台	20+	SOT-23	120000	只做原装可免费提供样品	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	MMBT5551Q-7-F	DIODES/美台		SOT-23	90000	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	MMBT5551Q-7-F	DIODES/美台	23+	SOT-23	54258	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
北京天阳诚业科贸有限公司	MMBT5551S	ST(先科)	23+	NA	144	小信号晶体管	询价

更多MMBT5551Q供应商更新时间2024-9-24 15:14:00

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