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MMBT6429LT1	文件：300.4 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：300.4 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
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MMBT6429LT1G	文件：200.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：200.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1	文件：153.02 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：153.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：191.72 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors 文件：191.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：153.02 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：153.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Amplifier Transistors	恩XP	恩XP

晶体管资料

型号：
MMBT6429
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DG130B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
55
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.3

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
55
VEBO (V)：
6
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
500
hFE Max：
1250
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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