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MMBT6429	文件：31.29 Kbytes Page：1 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) 文件：31.29 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
MMBT6429	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)	Samsung 三星	Samsung
MMBT6429LT1	文件：209.58 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：209.58 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6429LT1	文件：300.4 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：300.4 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT6429LT1	文件：151.3 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：151.3 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：200.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：200.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1	文件：153.02 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：153.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：191.72 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors 文件：191.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：153.02 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：153.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Amplifier Transistors	恩XP	恩XP

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
55
VEBO (V)：
6
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
500
hFE Max：
1250
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMBT6429	MOT	24+	SOT-23	5000	公司存货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MMBT6429	恩XP	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MMBT6429	ON/安森美	23+	SOT-23	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	MMBT6429	恩XP	22+	SOT-23	20000	原装现货,实单支持	询价
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