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MMBT5551-7

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (MMBT5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant • Green Device (Notes 2 and 3)

文件:47.87 Kbytes 页数:2 Pages

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美台半导体

MMBT5551-7

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3

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美台半导体

MMBT5551-7-F

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:419.38 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

MMBT5551-7-F

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:128.259 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

MMBT5551-7-F

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

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美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT5551-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Diodes
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MMBT5551-7
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