| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市世联芯科技有限公司10年
留言
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CJSOT-23-3 |
60000 |
19+ |
原装进口,假一罚十 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT23 |
680000 |
22+ |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
6800000 |
24+ |
100%进口原装现货,特价销售中 |
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深圳市乐创天科技有限公司16年
留言
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CJ长电SOT-23 |
3821 |
2010 |
原装正品现货 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
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DIODESSOT-23-3 |
90000 |
23+ |
百分百进口原装正品现货，假一罚十价格合理 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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NXPSOT-23 |
1000000 |
18+ |
只做原装正品，卖元器件不赚钱交个朋友！ |
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深圳市金泰福电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长晶SOT-23 |
45000 |
24+ |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-23 |
150000 |
23+ |
全新原装正品公司现货可免费送样可含税可追溯-可BOM配单 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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ON/长电SOT23 |
2000000 |
2013+ |
绝对全新原装现货,价格优惠可17%税长期供货,欢迎来电查询! |
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深圳市森海汇恒科技有限公司1年
留言
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TI21+ |
24000 |
工厂原装库存价格优势实单必成 |
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深圳市广发盛科技有限公司1年
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onsemiSOT-23-3 |
9855571 |
21+ |
电子元器件一站式配单服务 |
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深圳新景润电子科技有限公司3年
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GRANDE/群鑫SOT-23 |
3000 |
22+ |
原装现货 一级代理 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT23 |
40000 |
21+ |
专营ON大量进口原装现货,假一罚万,QQ:505546343电话17621633780 |
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北京三盛恒业电子有限公司6年
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6900 |
22+ |
只做原装 实单必成 |
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深圳特瑞杰电子有限公司1年
留言
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科骏TRAY |
1000000 |
2016+ |
MMBT3904原装现货价格优势 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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ONSOT-23 |
33000 |
21+ |
原装现货 |
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司8年
留言
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NXPSOT-23 |
3000 |
21+ |
原装正品,热卖现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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161398 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长电SOT23-3 |
157408 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP8 |
12534 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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MMBT2222ATR价格
MMBT2222ATR价格：￥0.0000品牌：All American
生产厂家品牌为All American的MMBT2222ATR多少钱，想知道MMBT2222ATR价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MMBT2222ATR批发价格及采购报价，MMBT2222ATR销售排行榜及行情走势，MMBT2222ATR报价。
MMBT2222ATT1G资讯
MMBT5551M3T5G 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 60 mA 265 mW
MMBT5551M3T5G晶体管
MMBT489LT1G
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MMBTA06-7-F
进口代理
MMBT3906G-SOT523R-TG_UTC代理商
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MMBT1815G-SOT723R-GR-TG_UTC代理商
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MMBT2222ATT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBT 2222A LT1功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT 2907A LT1功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT 3904 LT1功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT 3904 LT3功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Switch TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT 3906 LT1功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT A06 LT1功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MMBT100功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT100_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT100A功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT100A_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
