MMBT5551LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
MMBT5551LT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
6900
产品封装：
贴
生产批号：
22+
库存类型：
现货库存
更新时间：
2023-10-9 11:26:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：MMBT5551LT1G品牌：ON/安森美

只做原装实单必成

MMBT5551LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装贴/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBT5551LT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
MMBT5551LT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
6 页
文件大小：
127.52 kb
资料说明：
High Voltage Transistors NPN Silicon

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBT5551LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供应商

企业：
北京三盛恒业电子有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
王小姐/陈小姐
手机：
13699166460
询价：
电话：
19180595649/13699166460
传真：
02887781882
地址：
北京市海淀区知春路114号华源写字楼306

MMBT5551LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

MMBT5551LT1G

产品属性

供应商

相关型号

相近型号