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MJE15030G	文件：79.97 Kbytes Page：6 Pages	8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120??50 VOLTS, 50 WATTS 文件：79.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE15030G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 8A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJF15030	文件：143.21 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 150 VOLTS, 36 WATTS 文件：143.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJF15030	文件：246.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 150 VOLTS 36 WATTS Complementary Power Transistors For Isolated Package Applications Designed for general–purpose amplifier and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. • Electrically Similar to the Popular MJE15030 and 文件：246.16 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJF15030	文件：246.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Complementary Power Transistors For Isolated Package Applications Designed for general−purpose amplifier and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. Features • Electrically Similar to the Po 文件：246.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJE15030G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，2V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 150V 8A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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