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MJE3440	文件：76.73 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE3440 is a NPN silicon epitaxial planar transistors in SOT-32 plastic package. It is designed for use in consumer and industrial line-operated applications. ■ NPN TRANSISTOR 文件：76.73 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE3440	文件：67.51 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE3440 is a NPN silicon epitaxial planar transistors in SOT-32 plastic package. It is designed for use in consumer and industrial line-operated applications. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR 文件：67.51 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE3440	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
MJE3440	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage	Central	Central
MJE3440	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 250V 0.3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
MJE3440
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_视频输出（Vid）_功率放大
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD159,BD232,BD410,2N5656,3DK204F,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
250
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@4mA@50mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum DC Collector Current：
0.3A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
15000mW
Maximum Transition Frequency：
15(Min)MHz
Type：
NPN

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