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MJE2955T	文件：123.69 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS.	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJE2955T	文件：129.259 Kbytes Page：4 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. •DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes •HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE2955T	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：64.709 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE2955T	文件：47.46 Kbytes Page：1 Pages	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE2955T	文件：37.22 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose and Switching Applications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE2955T	文件：61.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES DESCRIPTION TheMJE3055TisasiliconEpitaxial-BaseNPN transistorinJedecTO-220package.Itis intendedforpowerswitchingcircuitsand general-purposeamplifiers.Thecomplementary PNPtypeisMJE2955T.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：93.74 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMJE2955Tisdesignedforgeneralpurposeofamplifierandswitchingapplications.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE2955T	文件：92.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors MJE2955T DESCRIPTION ·WithTO-220package ·ComplementtotypeMJE3055T ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=-4Adc ·Collector–emittersaturationvoltage-VCE(sat)=-1.1Vdc(Max)@IC=-4Adc APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE2955T	文件：196.1 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Pinning 1=Base 2=Collector 3=Emitter	DCCOM Dc Components	DCCOM

产品属性

产品编号：
MJE2955T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 60V 10A TO220

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