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MJE2955TG-TN3-R	文件：161.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：161.9 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE2955TG-TN3-R	文件：168.92 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：168.92 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
MJE2955TL-TA3-T	文件：161.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：161.9 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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MJE2955T	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极功率晶体管，PNP，10 A，60 V，75 W The Bipolar Power Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. The MJE2955T (PNP) and MJE3055T (NPN) are complementary devices. • DC Current Gain Specified to 10 Amperes\n• High Current Gain - Bandwidth Product - fT = 2.0 MHz (Min) @ IC fT = 500 mAdc\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE2955T	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	MINOS 迈诺斯	MINOS
MJE2955T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
MJE2955T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 10A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJE2955T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 60V 10A TO220

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