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MJE2955T	文件：92.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors MJE2955T DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type MJE3055T ·DC current gain -hFE= 20–70 @ IC=-4 Adc ·Collector–emitter saturation voltage - VCE(sat)= -1.1 Vdc (Max) @ IC=- 4 Adc APPLICATIONS ·Designed for general–purpose switching and amplifier applications. 文件：92.64 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJE2955T	文件：93.11 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：93.11 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
MJE2955T	文件：64.709 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION Complementary, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose 文件：64.709 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
MJE2955T	文件：47.46 Kbytes Page：1 Pages	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) GENERAL DESCRIPTION Complementary, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose 文件：47.46 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
MJE2955T	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE3055T is a silicon epitaxial-base NPN transistor in Jedec TO-220 package. It is intended for power switching circuits and general-purpose amplifiers. The complementary PNP type is MJE2955T. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES 文件：65.19 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：61.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES DESCRIPTION The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in Jedec TO-220 package. It is intended for power switching circuits and general-purpose amplifiers. The complementary PNP type is MJE2955T. 文件：61.49 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE2955T	文件：882.29 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. 文件：882.29 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MJE2955T	文件：94.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.24 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJE2955T	文件：213.09 Kbytes Page：2 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：213.09 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MJE2955T	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

产品属性

产品编号：
MJE2955T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 60V 10A TO220

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