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MJE2955T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE2955T

参数属性

MJE2955T 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 10A TO220

功能描述

双极功率晶体管,PNP,10 A,60 V,75 W
TRANS PNP 60V 10A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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MJE2955T规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. The MJE2955T (PNP) and MJE3055T (NPN) are complementary devices.

特性 Features

• DC Current Gain Specified to 10 Amperes
• High Current Gain - Bandwidth Product - fT = 2.0 MHz (Min) @ IC fT = 500 mAdc
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJE2955T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE2955T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE2955T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :8

  • IC Cont. (A)

    :10

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :70

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.8

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :100

  • fT Min (MHz)

    :2

  • PTM Max (W)

    :125

  • Package Type

    :TO-220-3

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