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MJE270数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE270

参数属性

MJE270 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO126

功能描述

2.0 A,100 V,NPN 达林顿双极功率晶体管
TRANS NPN DARL 100V 2A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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MJE270规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed specifically for use with the MC3419 Solid-State Subscriber Loop Interface Circuit (SLIC).The MJE270 (NPN) and MJE271 (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• High Safe Operating Area IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A - TO-126
• Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
• High DC Current Gain hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min)
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJE270属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE270晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE270

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :2

  • V(BR)CEO Min (V)

    :100

  • VCE(sat) Max (V)

    :2

  • hFE Min (k)

    :1.5

  • hFE Max (k)

    :-

  • fT Min (MHz)

    :6

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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