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MJE5852G	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852G	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-mode Series PNP Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 400V 8A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
5852	文件：69.76 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：98.68 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor28(7/36)AWGSilverPlatedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PTFE0.035+/-0.004 (1)Color(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE,GRAY,VIOLET,WHITE/BLACK,WHITE/BLUE WHITE/ORANGE,WHITE/VIOLET	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Knowles	KNOWLES
CPH5852	文件：56.23 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypecontainingaP-ChannelMOSFET(MCH3312)andaSchottkyBarrierDiode(SB1003M3),facilitatinghigh-densitymounting. •[MOS] •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •4Vdrive •[SBD]	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
IRF5852	文件：239.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852PBF	文件：206.02 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TR	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TRPBF	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISO5852S	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852S	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5852S	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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产品属性

产品编号：
MJE5852G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SWITCHMODE™
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
5V @ 3A，8A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 5A，5V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 400V 8A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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