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MJE5852G

8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

文件:104.82 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJE5852G

Switch-mode Series PNP Silicon Power Transistors

文件:104.24 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJE5852G

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 400V 8A TO220

ONSEMI

安森美半导体

NVMFD5852NL

Power MOSFET 40 V, 6.9 mohm, 44 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL

Power MOSFET 40 V, 6.9 m, 44 A, Dual N−Channel Logic Level, Dual SO−8FL Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5852NLWF − Wettable Flanks Product • AEC−Q101 Qualified and PPAP Cap

文件:129.13 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMFD5852NL

Power MOSFET

文件:84 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMFD5852NLWF

Power MOSFET 40 V, 6.9 mohm, 44 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL

Power MOSFET 40 V, 6.9 m, 44 A, Dual N−Channel Logic Level, Dual SO−8FL Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5852NLWF − Wettable Flanks Product • AEC−Q101 Qualified and PPAP Cap

文件:129.13 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJE5852G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 3A,8A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 400V 8A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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只做原装公司现货
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TO-220-3
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1983
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ON Semiconductor
2022+
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全新原装 货期两周
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更多MJE5852G供应商 更新时间2026-1-30 23:00:00